金融界2024年11月15日音讯，国家知识产权局信息数据显现，爱思开海力士有限公司请求一项名为“半导体设备以及半导体设备的制作办法”的专利，揭露号 CN 118943088 A，请求日期为2023年10月。

  专利摘要显现，本揭露触及半导体设备以及半导体设备的制作办法。该半导体设备能包含：榜首半导体结构，该榜首半导体结构包含包含倒置阶梯结构的层叠物、坐落层叠物下方的源极结构、坐落层叠物上方的位线以及延伸穿过层叠物的沟道结构；第二半导体结构，该第二半导体结构接合到榜首半导体结构而且包含定位成面向倒置阶梯结构的经过晶体管以及定位成面向源极结构的榜首外围电路；以及第三半导体结构，该第三半导体结构接合到榜首半导体结构而且包含定位成面向位线的页缓冲器以及定位成面向倒置阶梯结构的第二外围电路。

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